“后来我多次访问中国，看到了山东大学的快速发展。学校希望建设开放的科研平台，吸引全球人才，推动新兴科技领域突破。这种踏实进取的氛围让我意识到，这里不仅有适合搞科研的环境，也是可以带着团队一起成长的平台。加入山东大学对我的人生和事业来说，都是非常重要的选择。”阿洛基亚·那桑说。

　　2024年9月，阿洛基亚·那桑作为国际微电子领域的领军人物，因在微电子与纳米技术领域对中国创新与发展产生的重要影响，荣获2024年度中国政府友谊奖。

　　阿洛基亚·那桑主要从事纳米光电材料及器件、先进光电显示技术和新型TFT薄膜晶体管的应用研究，在低温薄膜器件的制备及其与柔性基板的集成等方面取得了一批重要的研究成果。

　　阿洛基亚·那桑首创氢稀释纳米晶硅生长与栅极脉冲调控技术，有效提升了晶体管性能，让其更适用于柔性屏幕、可穿戴设备、植入式医疗器件等新一代电子产品中。

　　“可以把晶体管想象成一座‘电子桥梁’，它负责控制电流的开关与传输。传统的硅材料在制备过程中容易产生缺陷，就像建桥时桥面不够均匀平整，影响了桥梁的稳定性和通行效率。”阿洛基亚·那桑说，而氢稀释纳米晶硅生长技术就像在建造过程中加入了一种特殊的“调和剂”，让硅原子在成膜过程中排列得更整齐致密，从而减少了材料内部的缺陷；栅极脉冲调控技术则像精准的“脉冲开关”，让晶体管只在需要的时候工作，这样一来，晶体管的能效大大提高，同时响应速度也更快。