随着光电子器件不断向微型化、低能耗、高集成度演进，传统毫米级铌酸锂晶体已难以满足产业需求。把铌酸锂做成大尺寸、纳米级、高一致性的单晶薄膜，成为突破高速光通信和集成光电子器件性能瓶颈的关键。

　　2010年，胡文在济南创办晶正电子。公司创办之初只有9个人，方向却很明确：攻关纳米级铌酸锂单晶薄膜材料。“为达到一个实验目标，有时要失败几百上千次。只有一次次试验、修正、再试验，才可能取得最后成功。”胡文说。

　　2014年，晶正电子研发团队率先从0.5毫米的铌酸锂单晶中剥离出500至700纳米单晶薄膜，填补行业空白。2015年，团队在世界上率先研发出直径3英寸的纳米级铌酸锂单晶薄膜。2018年至2019年，产品开始小批量生产。2020年，公司生产出300纳米厚度单晶薄膜，500纳米厚度的4英寸单晶薄膜成为主流产品。

　　此后，晶正电子持续把尺寸做大、厚度做薄、品质做稳。2023年，公司突破离子注入和直接键合等关键技术，研发出厚度300-900纳米的8英寸高品质铌酸锂单晶薄膜，在技术和成本方面形成明显优势。

　　胡文常把晶正电子比作“做面粉的人”。在他看来，铌酸锂单晶薄膜就是光电芯片产业里的“面粉”：“面粉磨得越精细，别人就可以用它做出更多、更好的精品。”