在电子材料领域，历年金奖得主无一不是掌握核心专利、主导国际标准的全球行业领导者。天岳先进此次获奖，是碳化硅衬底技术首度获得该奖项的垂青，凸显了半导体材料领域的技术演进方向，也是业内对天岳先进在碳化硅衬底这一核心基础环节不懈探索和新突破的高度认可。

　　碳化硅作为第三代半导体的基石，其衬底材料的品质与制备技术直接决定了整个产业链的性能、成本和下游应用的普及度，是支撑新能源汽车、特高压输电、5G／6G通信、数据中心等战略新兴产业发展的根本所在。

　　天岳先进此次历史性获奖的核心驱动力，源于其长期聚焦于碳化硅衬底材料技术，并在此领域实现了持续的创新突破。长期以来，高品质、大尺寸碳化硅衬底的制备技术壁垒极高，是国际竞争的焦点。面对挑战，天岳先进长期深耕衬底材料研发，通过技术攻坚与产业化推进，成功实现了从技术追赶到国际并跑再到关键领域引领的跨越。据悉，其在材料晶体生长、缺陷控制、加工工艺等核心环节取得的一系列突破性进展，不仅攻克了大尺寸化等世界级难题，更在材料性能上达到了国际领先水平，成为全球半导体材料领域的创新标杆。

　　中国半导体材料加快崛起

　　当前，全球碳化硅产业格局正经历深刻调整。天岳先进凭借在衬底材料技术上的深厚积累、持续突破与先发优势，展现出强劲的发展势头。此次荣获半导体年度奖金奖，不仅是天岳先进发展历程中的重要里程碑，更是中国半导体材料产业自主创新道路上的一个缩影。天岳先进的发展历程，有力证明了中国企业在突破半导体关键核心技术领域所具备的创新能力。